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                  產品介紹
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                 所有產∩品列表
                TX-KA系列※驅動器
                - KA101 三段式保隨后便是青帝等人護
                - KA102 大功率
                - KA103 高頻
                - KA105 特大功率

                - KA106 高頻特大功率

                - K841

                - K841L
                - KA841
                - K57959
                - KA959
                - K57962
                - KA962(F)
                TX-KB系列身體驅動器
                - KB102
                - KB303 超高頻
                - KB304 超高頻
                TX-KC系列驅動器
                - KC101 自給電源
                TX-KD系列MOS驅動
                - KD101
                - KD106
                - KD107 超高頻
                - KD202 雙正激
                - KD204 雙正激
                - KD301(L) 半橋
                - KD303T 半橋低頻
                - KD501 IGBT驅動器
                TX-KE系列驅動器
                - KE106高壓驅動
                - 2DE315M17/33
                - 2DE300M17/33
                - KE107高頻
                - KE108高溫
                TX-KP系列驅動器
                - KP101 帶DC-DC
                驅動板系列
                - DF101光纖︾高壓雙管
                - DF102光纖々高壓單管
                - DF103光纖高壓那巨大單管
                - DF104光纖高壓單管
                - DA105D2特大功率
                - DA102Dn系列大功◤率
                - DA962An中大功率
                - DA962Dn中大功率
                - 汽車級DA903D系列
                - DW124半橋鑲嵌式
                - DP101一單元驅動□板

                - DE106D1單管高壓

                - DE106D2雙管高壓

                - DE300M2大功率
                驅動電源
                - PA202 AC-DC 雙路
                - PD106 高隔→離電壓
                - PD107 大功率
                - PD203 DC-DC 雙路
                - PD220 高隔離電何林低聲冷笑壓
                - PD221 高隔離電壓
                輔助控制組件
                - QP101死區發生◥器
                - QP102死區兩聲劇烈發生器
                - JKDF1光纖驅動接最主要口
                 

                TX-KD303T 低頻半■橋驅動器
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                特點

                • 采ㄨ用本公司的分時式自給電源發明專利技術,無需隔離電源
                • MOSFET(IGBT)半◥橋隔離驅動器
                • 關斷時輸出負電平,可靠關斷
                • 最低工作ぷ頻率3KHz

                應用

                • 用於驅動半橋、全橋、推挽正激變換器中的兩只大功率MOSFET或IGBT管,適用的器件封裝大致為TO-3P、TO-247,電流容量範圍為20-60A,電壓容量範圍■為400-1700V,柵源電容Cgs範圍為4.7-22nF。
                • PWM/PFM控制和▽移相控制均可

                主要參數

                參數
                符號
                測試條件
                最小值
                典型值
                最大值
                單位
                輸入脈沖信號幅值 Vs  
                11
                12
                13
                V
                輸出電壓 Vo+  
                 
                14
                 
                V
                Vo-  
                 
                -4
                 
                輸出電流 Io+ 電容負載
                 
                 
                3
                A
                Io-
                 
                 
                -3
                輸出電荷 Qout  
                 
                 
                1
                μ C
                工作頻率 Fop
                3
                15
                KHz
                驅動功率 Po 每路
                 
                 
                1
                W
                占空比 δ  
                5
                 
                47
                %
                工作環境溫度 Top  
                -40
                 
                85

                外形照片


                應用連接

                產品手冊下爭奪之中載


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